3족 질화물 반도체 발광소자

Iii-nitride compound semiconductor light emitting device

Abstract

본 발명은 n형 질화물 반도체층과 n형 질화물 반도체층 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합을 통하여 빛을 생성하는 활성층과, 활성층 위에 성장되는 p형 질화물 반도체층을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서, p형 질화물 반도체층 상부에 성장되며 핀홀(pinhole) 구조를 가지는 질화물 반도체층을 포함한 복수의 반도체층을 구비하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다. pinhole, 외부양자효율, hillock, 발광소자

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    WO-2013015472-A1January 31, 2013삼성전자주식회사Dispositif électroluminescent à semi-conducteurs et son procédé de fabrication