Positive resist composition and pattern forming method using the same

포지티브 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법


본 발명의 포지티브 레지스트 조성물은 (A)산의 작용하에 알칼리 현상액에 대한 용해도가 증가하는 수지, (B)활성광선 또는 방사선 조사시 산을 발생할 수 있는 화합물, (C)하기 일반식(1-1), (1-2) 및 (1-3)으로 표시되는 불소원자 함유 반복단위에서 선택되는 반복단위를 하나 이상 갖는 수지로서, 산에 안정하고 알칼리 현상액에 불용성인 수지, 및 (D)용제를 함유한다. (식중, R 1 은 수소원자 또는 알킬기를 나타내고; R 2 는 플루오로알킬기를 나타내고; R 3 은 수소원자 또는 1가의 유기기를 나타내고; R 4 ~R 7 은 각각 독립적으로 수소원자, 불소원자, 알킬기, 플루오로알킬기, 알콕시기 또는 플루오로알콕시기를 나타내고, 단 R 4 ~R 7 중 하나 이상은 불소원자를 나타내고, R 4 와 R 5 , 또는 R 6 와 R 7 은 결합 하여 환을 형성해도 좋고; R 8 은 수소원자, 불소원자 또는 1가의 유기기를 나타내고; Rf는 불소원자 또는 불소원자 함유 1가의 유기기를 나타내고; L은 단일결합 또는 2가의 연결기를 나타내고; Q는 지환식 구조를 나타내고; 또한 k는 0~3의 정수를 나타낸다.)
Provided are a positive resist composition, which is improved in pattern profiles at normal exposure and liquid immersion exposure and has good followability of water upon liquid immersion exposure, and a method for forming a pattern using the same. The positive resist composition comprises (A) a resin of which solubility in an alkali developer increases under the action of an acid, (B) a compound capable of generating acids upon irradiation of actinic rays or radiation, (C) a resin which has at least one repeat unit selected from fluorine-containing repeat units represented by the following formulae(1-1), (1-2), and (1-3), and (D) a solvent. In the formulae, R1 is a hydrogen atom or an alkyl group, R2 is a fluoroalkyl group, R3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group, R4-R7 each is independently a hydrogen atom, fluorine atom, alkyl group, fluoroalkyl group, alkoxy group, or fluoroalkoxy group, provided that at least one of R4-R7 is a fluorine atom and R4 and R5, or R6 and R7 are bonded to each other to form a ring, R8 is a hydrogen atom, fluorine atom, or monovalent organic group, Rf is a fluorine atom or a fluorine-containing monovalent organic group, L is a single bond or a divalent linker, Q represents an alicyclic structure, and k is an integer of 0-3.




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