스퍼터링 증착 장치 및 스퍼터링 증착 방법

Apparatus for sputter deposition and method of sputter deposition using the same

Abstract

기판이 안착된 기판 스테이지가 틸트된 상태로 회전하여 기판 상에 금속 물질이 균일하게 증착될 수 있는 스퍼터링 증착 장치 및 스퍼터링 증착 방법이 개시되고 있다. 상기 스퍼터링 증착 장치는 공정 챔버 상부에 금속 타겟이 구비되어 플라즈마를 형성하기 위한 파워가 인가되고, 상기 플라즈마에 포함된 플라즈마 입자에 의해 스퍼터링되는 금속 물질을 생성한다. 상기 금속 타겟 상부에는 마그넷 어레이가 구비되어 상기 공정 챔버 내에 형성되는 플라즈마를 상기 타겟 부근으로 한정시키는 자기장을 형성한다. 상기 기판을 지지하는 기판 스테이지는 상기 기판의 에지부와 타겟과의 거리를 줄일 수 있도록 상기 기판을 제1 각도로 틸트시켜 회전한다. 따라서, 상기 기판의 중심부와 에지부에 인가되는 자기장의 세기가 균등하게 제공되어 플라즈마의 형성 밀도가 균일함으로서 상기 기판 상에 금속 물질이 균일하게 증착된 금속막을 형성할 수 있다.
A sputtering deposition apparatus and a sputtering deposition method using the same are provided to reduce a gap between an edge of a substrate and a metal target by titling and rotating a substrate stage at a predetermined angle. A process chamber(12) provides a predetermined space for forming plasma particles and performing a sputtering process to form a metal layer on a substrate. A metal target(16) is formed on an upper part of the process chamber in order to apply power for forming plasma(30) and to generate metal particles sputtered by the plasma particles included in the plasma. A magnet array(18) is formed on the metal target in order to form magnetic field for defining the plasma within a periphery of the metal target. A substrate stage(14) is used for supporting the substrate and tilting and rotating the substrate at a first angle(15) in order to reduce a gap between an edge of the substrate and the metal target.

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