Cmos 이미지 센서의 제조 방법

Complementary metal oxide silicon image sensor and method of fabricating the same

Abstract

본 발명은 CMOS(Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서의 제조 방법에 관한 것으로, 수광 소자가 형성된 기판 상에 소자 보호막과 금속 배선을 형성하는 단계와; 상기 금속 배선 상에 내부 마이크로렌즈(inner microlens)를 형성하는 단계와; 상기 내부 마이크로렌즈 상에 층간 절연막을 도포하고, 컬러 필터(color filter)를 형성하는 단계와; 상기 컬러 필터 상에 평탄화 층(planarization layer)과 PR(photo resist)로 구성되는 외부 마이크로렌즈(outer microlens)를 형성하는 단계를 포함하며, 특히, 내부 마이크로렌즈는 돔(dome) 형태의 PR 상에 외부막을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법에 의해서, 내부 마이크로렌즈의 곡률 반경을 정확하고 일정하게 유지하고, 내부 마이크로렌즈의 형성을 용이하게 하는 동시에, 효율적인 집광이 가능하게 한다. 아울러, CMOS 이미지 센서의 제조 공정이 단순해짐으로써, 제품 수율을 높이고, 제조 비용을 절감하는 효과가 있다.
A method for manufacturing a CMOS image sensor is provided to enhance a yield and to reduce a manufacturing cost by simplifying an internal microlens manufacturing process. A device protection layer(220) is formed on a substrate(200) including a light receiving element. A metal line is formed on the device protection layer. An internal microlens(260) is formed on the metal line. An oxide layer(270) is formed on the microlens. A color filter(280) is formed on the oxide layer by a photolithography process. A planarization layer is formed on the color filter. An external microlens(300) is formed by the photolithography process and a thermal process. The internal microlens is formed by depositing an external layer on a dome-shaped photoresist formed by the photolithography process and the thermal process.

Claims

Description

Topics

Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

Patent Citations (0)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle

NO-Patent Citations (0)

    Title

Cited By (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-100882732-B1February 06, 2009주식회사 동부하이텍이미지 센서 및 그 제조방법
    KR-100896876-B1May 12, 2009주식회사 동부하이텍Image sensor and method for manufacturing thereof
    US-7972891-B2July 05, 2011Dongbu Hitek Co., Ltd.Image sensor and method for manufacturing the same