고온 스트레스로 인한 읽기 마진의 감소를 보상할 수 있는플래시 메모리를 구비한 메모리 시스템

Memory system with flash memory capable of compensating reduction of read margin between states due to hot temperature stress

Abstract

A memory system is provided to assure sufficient read margin between adjacent states even when the range of threshold voltage becomes wider due to electric field coupling/F-poly coupling and HTS(Hot Temperature Stress), by performing a second program operation on memory cells belonging to a specific region of each state after a first program operation. A memory system includes a flash memory and a memory controller controlling the flash memory. The memory controller judges whether all program data provided from a host are stored during a program operation. When all program data are stored in the flash memory, the memory controller performs a dummy program operation on the next word line of a final word line where the program data are stored.
여기에 개시되는 메모리 시스템은 플래시 메모리와; 그리고 상기 플래시 메모리를 제어하도록 구성된 메모리 컨트롤러를 포함하며, 상기 메모리 컨트롤러는 프로그램 동작 모드시 호스트로부터 제공된 프로그램 데이터가 상기 플래시 메모리에 모두 저장되었는 지의 여부를 판별하며; 상기 프로그램 데이터가 상기 플래시 메모리에 모두 저장된 것으로 판별될 때, 상기 메모리 컨트롤러는 상기 프로그램 데이터가 저장된 최종 워드 라인의 다음 워드 라인에 대한 더미 프로그램 동작을 수행하도록 상기 플래시 메모리를 제어한다.

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    US-9007827-B2April 14, 2015Samsung Electronics Co., Ltd.Nonvolatile memory device and method of programming nonvolatile memory device
    US-9183938-B2November 10, 2015Samsung Electronics Co., Ltd.Nonvolatile memory device and method of programming nonvolatile memory device